На базе НИУ МИЭТ состоялся совместный семинар с «ПЛАНАР», посвященный моделированию транзисторов GaN

12 ноября в МИЭТе состоялся международный технологический семинар «Моделирование транзисторов GaN технологии». Организаторами семинара выступили Университет МИЭТ и компания «ПЛАНАР» – ведущий отечественный разработчик и производитель векторных анализаторов цепей.  В мероприятии приняли участие более 90 сотрудников ведущих отечественных ВУЗов и предприятий микроэлектроники из Томска, Екатеринбурга, Великого Новгорода, Ростова-на-Дону, Каменска-Уральского, Москвы, Санкт-Петербурга и других городов. Семинар объединил основных участников отрасли, которые специализируются в данной тематике.

От компании «ПЛАНАР» выступила Елена Кирилленко – технический эксперт по измерению полупроводниковых устройств и подробно рассказала о разработках компании «ПЛАНАР» для экстракции моделей устройств на основе технологии GaN для СВЧ применений. 

Однако, основным докладчиком семинара выступил приглашенный эксперт из Индии – Шейх Аамир Ашхан (Sheikh Aamir Ahsan), один из ведущих мировых ученых в данной области, участвующий в создании общеизвестной ASM GaN (Advance SPICE Model for GaN RF and Power Devices). Это продвинутая модель SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) для устройств на основе нитрида галлия, используемых в радиочастотных и силовых приложениях. Модель SPICE представляет собой набор математических уравнений, которые используются для симуляции работы электронных схем. Она позволяет разработчикам моделировать и анализировать поведение различных компонентов схемы, таких как транзисторы, диоды и другие устройства. 

В ходе семинара были рассмотрены перспективы использования GaN технологии в области СВЧ и силовой микроэлектроники. Сам семинар состоял из 5 сессий:

Сессия №1: Введение в технологию GaN

·       Обзор свойств GaN материалов и их преимущества перед традиционными полупроводниками

·       Применение GaN технологии в современной электронике, в особенности в случаях высоких частот, высоких мощностей, а также для управления питанием

Сессия №2: Продвинутый уровень моделирования GaN устройств

·       Детальное обсуждение получения компактных моделей GaN устройств, основанное на физике их поведения, включая СВЧ и мощные устройства

·       Обзор доступных коммерческих моделей, их «пробелы»

·       Техники получения моделей высокой степени надёжности, с фокусом на модель ASM GaN и новую модель NITSRI GaN

Сессия №3: Дизайн-разработка и симуляция МИС

·       Интеграция моделей устройств в САПР с основами SPICE

·       Оптимальные техники экстракции СВЧ параметров модели

·       Практические примеры

Сессия №4: Моделирование и разработка мощных GaN устройств

·       Подробная дискуссия о последних разработках в области мощных GaN устройств размышления об их применении

·       Техники моделирования и симуляции новых нормально выключенных GaN HEMT устройств

·       Практический взгляд в симуляцию и оптимизацию мощных электронных цепей – LTSPICE и другие САПР

Сессия №5: Отраслевое влияние и сотрудничество

·       Как модели GaN формируют индустрию

·       Примеры сотрудничества с индустрией и их результаты

·       Дискуссия о развитии и возможностях 

По итогам семинара участникам удалось обсудить наиболее интересные и актуальные темы дальнейшего развития GaN технологии и способов построения моделей GaN транзисторов, обменяться опытом решения своих практических задач. 

Мы благодарим НИУ МИЭТ и лично Алексея Алексеевича Дронова – проректора по научной работе и Мелёшина Юрия Михайловича – заместителя директора по образовательной деятельности за возможность проведения семинара, который стал действительно знаковым событием для специалистов отечественной микроэлектроники. 

По материалам, предоставленным НИУ МИЭТ